异丁基锗烷
 |
| 异丁基锗烷 | |
|---|---|
| |
| |
| |
| IUPAC名 isobutylgermane | |
| 别名 | Isobutylgermanium trihydride |
| 识别 | |
| CAS号 | 768403-89-0 
|
| ChemSpider | 21389305 |
| SMILES |
|
| InChI |
|
| InChIKey | PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD |
| 性质 | |
| 化学式 | C4H12Ge |
| 摩尔质量 | 132.78 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 无色透明液体 |
| 密度 | 0.96 g/mL |
| 熔点 | < -78 °C |
| 沸点 | 66 °C |
| 溶解性（水） | 不溶于水 |
| 相关物质 | |
| 相关化学品 | GeH4 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
异丁基锗烷（IBGe，化学式：(CH3)2CHCH2GeH3）是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体，用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中，异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜（例如锗化硅）。它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe。
参考资料
拓展阅读
- IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
- Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
- Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films[永久失效連結]; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
- Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
- Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.