跳转到内容

负偏置温度不稳定性

本页使用了标题或全文手工转换
维基百科,自由的百科全书

负偏置温度不稳定性(英语:Negative-bias temperature instability, NBTI)是影响金属氧化物半导体场效电晶体可靠性的一个重要问题,它主要表现为阈值电压的偏移。也被列入半导体元件中,可靠度分析的重要指标。NBTI 效应是CMOS电路中PMOS在Gate给相对负偏压作用下出现的一种退化现象。包含了(IG变大,Vth向负向移动swing变差,电导(Gm)和漏电(Id)变小。而随著元件尺寸的变小,NBTI所带来元件特性的漂移会造成产品失效。甚至在电路表现中,PMOS所带来NBTI的效应会比NMOS HCI热载子注入失效还要严重,影响电路的寿命。

  • NBTI的原理

半导体元件中,Si和SiO2的介面键结强度是造成NBTI好坏的主因,而Si-H键的不稳定,在元件操作中无论在高温或是高电流密度下造成Si-H键结的断裂,使的H元素游离,进而造成闸级电压的漂移。NBTI效应的产生过程主要涉及正电荷的产生和钝化,即介面的陷阱电荷(dangling bond)和氧化层固定正电荷(fixed charge in oxide layer)的产生以及过产生以及扩散物质过程 (氢气和水汽是引起NBTI的两种主要物质)

  • NBTI效应的影响

参考文献

  • Dieter K. Schroder and Jeff A. Babcock, “Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing”, Journal of applied Physics, vol. 94, pp. 1–18, July 2003.
  • M. Alam and S. Mahapatra, “A comprehensive model of PMOS NBTI degradation”, Microelectronics Reliability, vol. 45, no. 1, pp. 71–81, Jan. 2005.
  • D.K. Schroder, "Negative bias temperature instability: What do we understand?," Microelectronics Reliability, vol. 47, pp. 841–852, June 2007.