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讨论:闪存

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NVRAM

闪存(Flash)在英文版中被归类为非易失性随机存取存储器(NVRAM,中文似乎没有此页),而在中文版中被归类为电子抹除式可复写只读存储器(EEPROM),哪个正确? -Kovl留言2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)[回复]

见仁见智,同样是非挥发性记忆体(NVM),不过目前快闪记忆体(flash memory)的规模(如市场、种类、应用……等)应已足够的多与大到可以自成一类, 归类于EEPROM可能就是10年前的分类法。Ccwesley留言2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)[回复]
闪存、EEPROM和EPROM均属于浮栅晶体管存储器,利用浮栅拘束电子来保存数据,不同点主要在于擦除方式。EPROM使用紫外线擦除,EEPROM改由电子方式擦除,而Flash则进一步改变了擦除的单位和范围。所以这几种分类应该都是正确的。--Aixiangsui留言2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)[回复]

外部链接已修改

各位维基人:

我刚刚修改了闪存中的1个外部链接,请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问,或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面,请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改:

有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

祝编安。—InternetArchiveBot (报告软件缺陷) 2018年6月20日 (三) 22:02 (UTC)[回复]

外部链接已修改

各位维基人:

我刚刚修改了闪存中的1个外部链接,请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问,或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面,请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改:

有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

祝编安。—InternetArchiveBot (报告软件缺陷) 2018年7月30日 (一) 03:29 (UTC)[回复]

2013-7-1DreaMQ的合并请求 死灰留言2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)[回复]

没有必要。该条目篇幅足够大。 Hzt0208042508415531 tw留言2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)[回复]