王陽元(1935年1月1日—),男,浙江寧波人,中國微電子學家,中國科學院院士,北京大學微電子學研究院院長,信息科學技術學院微電子學系主任,微米/納米加工技術國家重點實驗室主任,IEEE Fellow、IEE Fellow。他是中國硅柵N溝道MOS技術開拓者之一。[1][2]
生平
1935年1月1日出生於浙江寧波鎮海縣(現鎮海區)。1947年入讀寧波中學。1953年考入北京大學,1958年畢業。
20世紀70年代,主持研製成功中國第一塊3種類型1024位MOS動態隨機存儲器。20世紀80年代,提出多晶硅薄膜「應力增強」氧化模型,工程應用方程和摻雜濃度與遷移率的關係,受國際同行重視。20世紀90年代後期,開始研究微機電系統(MEMS),獲得一系列專利。領導研製成功中國首個大型集成化的ICCAD系統。創建中芯國際並擔任董事長。
曾參與漢芯的鑑定工作,漢芯後被曝光為造假。
家庭
妻子是中國科學院院士楊芙清。
參考資料
- ^ 王阳元教授. 上海交通大學科學史與科學哲學系. [2019-08-27]. (原始內容存檔於2019-08-27).
- ^ 王阳元. 同濟大學. [2019-08-27]. (原始內容存檔於2019-08-27).
外部連結
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信息技術科學部 | 2005年 | |
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註:姚期智於2004年被選為 中國科學院外籍院士,2015年放棄美國籍,加入中華人民共和國國籍,2017年轉為中國科學院院士。 | |
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第一屆(2006年) | | |
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第二屆(2008年) | |
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第三屆(2013年) | |
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