跳至內容

電子束檢測

維基百科,自由的百科全書

電子束檢測[1][2](Electrons Beam inspection,簡稱E-beam inspection、EBI),用於半導體元件的缺陷(defects)檢驗,以電性缺陷(Electrical defects)為主,形狀缺陷(Physical defects)次之。

相較於探針式(Probe)電性量測,電子束檢測具有兩個顯著優勢,能在製作電子元件的過程中,快速反應製程問題,(一)即時性。能夠線上(in line)檢測缺陷狀況。(二)預判性。無須製作電極(electrode pad)即可檢出。進一步說明,元件的良率及電性表現必須在整體元件製程完成後,才能以固定式探針設備量測得其結果,在分秒必爭的半導體產業,電子束檢測可以提前多道製程,既可知道元件缺陷狀況,這是一個顯著的時效優勢,使得此技術被廣泛的應用在電子產業上[3]

檢測原理

其檢測方式,是利用電子束掃描待測元件,得到二次電子成像的影像[4] ,根據影像的灰階值(Gray level)高低,以電腦視覺比對辨識,找出圖像中的異常點(abnormal),視為電性缺陷,例如,在正電位模式下(Positive model),亮點顯示待測元件為短路(short)或漏電(leakage),暗點則為斷路(open)。

利用電子束控制晶圓的表面電位性質。(a)電中性(b)正電位(c)負電位
利用電子束控制晶圓的表面電位性質。(a)電中性(b)正電位(c)負電位

其工作原理是利用電子束直射待測元件,大量的電子瞬間累積於元件中,改變了元件的表面電位(surface potentail),當表面電位大於0 (相對於元件的基板(substrate)電位),稱為正電位模式 (Positive model),反之,稱為負電位模式 (Negative model)。

參考資料

  1. ^ Application of the SEMSpec electron-beam inspection system to in-process defect detection on semiconductor wafers. Microelectronic Engineering. 1996-01-01, 30 (1-4): 567–570. ISSN 0167-9317. doi:10.1016/0167-9317(95)00311-8 (英語). 
  2. ^ Lei, Ming; Wu, Kevin; Tian, Qing; Gao, Kewen; Chen, Yaqiong; Hu, Haokun; Tomlinson, Derek; Lei, Chris; Zhao, Yan. Detection of metallic buried void by effective density contrast mode 9778. International Society for Optics and Photonics: 97780Q. 2016-04-21 [2018-02-16]. doi:10.1117/12.2219186. (原始內容存檔於2020-09-11). 
  3. ^ Lei, M.; Wu, K.; Tian, Q.; Zhao, Y. Detection and classification of gate to S/D shorts using charge dynamics. 2016 27th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC). May 2016: 294–299 [2018-02-16]. doi:10.1109/ASMC.2016.7491153. (原始內容存檔於2018-02-17). 
  4. ^ 二次電子. 維基百科,自由的百科全書. 2017-04-01 [2018-02-12]. (原始內容存檔於2021-11-05) (中文).