二硒化钨
| 二硒化钨 | |
|---|---|
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| 识别 | |
| CAS号 | 12067-46-8 
|
| PubChem | 82910 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N |
| EINECS | 235-078-7 |
| 性质 | |
| 化学式 | WSe2 |
| 摩尔质量 | 341.76 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 灰色固体 |
| 密度 | 9.32 |
| 危险性 | |
| 主要危害 | External MSDS |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 二氧化钨 二硫化钨 |
| 其他阳离子 | 二硒化钼 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
二硒化钨是分子式为WSe2的无机化合物[1]，二硒化钨有类似二硫化钼的六角形结构，每一个钨原子都和六个硒共价键结，是以三棱镜的配位方式键结，每一个硒则是以角锥状的组态和三个钨键结。钨和硒之间的键长为2.526 Å，硒和硒之间的键长为3.34 Å[2]。各层之间是以凡得瓦力结合，二硒化钨是在第六族金属二硫属化物中非常稳定的半导体。
制备
将钨的薄片在高压及高温（超过800 K）的硒蒸气中加热，利用溅射淀积技术可在薄片上形成正确元素比例的六角形结晶[3]：
- W + 2 Se → WSe2
用途
过渡金属二硫属化物是二极管，可应用在太阳能电池的光电转换设备中WSe2的带隙为1.35 eV，其温度系数为-4.6E-4 eV/K.[4]。 WSe2的光电极在酸性和碱性下都很稳定，因此可以用在光电化学电池中[5]。机械剥离的WSe2 单分子膜可以用在制造透明的光伏设备及超薄的LED[6]。
WSe2单分子膜因为其性质和一般的二硒化钨不同，也有科学家在进行相关研究。
参考资料
- ^ Holleman, Arnold Frederik; Wiberg, Egon, Wiberg, Nils , 编, Inorganic Chemistry, 由Eagleson, Mary; Brewer, William翻译, San Diego/Berlin: Academic Press/De Gruyter, 2001, ISBN 0-12-352651-5
- ^ Schutte, W.J.; De Boer, J.L.; Jellinek, F. Crystal Structures of Tungsten Disulfide and Diselenide. Journal of Solid State Chemistry. 1986, 70: 207–209. doi:10.1016/0022-4596(87)90057-0.
- ^ Pouzet, J.; Bernede, J.C.; Khellil, A.; Essaidi, H.; Benhida, S. Preparation and characterization of tungsten diselenide thin films. Thin Solid Films. 1992, 208: 252–259. doi:10.1016/0040-6090(92)90652-R.
- ^ Upadhyayula, L.C.; Loferski, J.J.; Wold, A.; Giriat, W.; Kershaw, R. Semiconducting Properties of Single Crystals of n- and p-Type Tungsten Diselenide (WSe2). Journal of Applied Physics. 1968, 39: 353–358. doi:10.1063/1.1655829.
- ^ Gobrecht, J.; Gerischer, H.; Tributsch, H. Electrochemical Solar Cell Based on the d-Band Semiconductor Tungsten-Diselenide. Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie. 1978, 82 (12): 1331–1335. doi:10.1002/bbpc.19780821212.
- ^ Johnson, Dexter. Tungsten Diselenide Is New 2-D Optoelectronic Wonder Material. IEEE Spectrum. 11 March 2014 [19 March 2014]. （原始内容存档于2020-11-12）. （页面存档备份，存于互联网档案馆）
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