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爾必達存儲器

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美光日本
Micron Memory Japan
公司類型子公司
ISINJP3167640006在維基數據編輯
成立1999年12月20日
代表人物木下嘉隆(社長)
總部 日本
東京都中央區八重洲2丁目2番1號
產業半導體產業
產品DRAM
所有權者美光科技 編輯維基數據
母公司美光公司
網站Micron Technology, Inc.
爾必達製128MB RDRAM

爾必達(英語:Elpida Memory, Inc.)是一間日本記憶體公司,成立於1999年,由日立NEC的記憶體部門合併而成,擁有30nm製程的廣島製造廠以及在台灣的合資企業瑞晶電子

爾必達在2012年2月破產,同年5月8日,已申請破產保護的爾必達(Elpida)公布其第二輪競標結果,將與美光(Micron)合併。

2013年7月31日,美國美光科技宣布,已經完成20億美元收購日本爾必達公司的交易[1]

歷史

  • 1999年12月20日,NEC日立記憶體公司成立。
  • 2000年5月,NEC日立記憶體改為爾必達記憶體公司。
  • 2003年3月,合併了三菱電機的記憶體製造部門
  • 2003年8月,爾必達記憶體公司接受金士頓科技約60億日圓入股。
  • 2004年11月,在日本東京證券交易所上市掛牌交易。
  • 2006年5月,爾必達記憶體公司公佈的財報顯示爾必達年度銷售收入達到2415億日圓,全球僱員人數3196人。
  • 2010年4月3日,爾必達記憶體公司接受金士頓科技185億日圓入股。
  • 2010年4月22日,爾必達記憶體公司全球首發採用低功耗40nm技術的4GB DDR3 SDRAM內存顆粒,該技術相比傳統技術內存在功耗上降低達到30%,同時爾必達記憶體公司宣布將拓展Flash Nand快閃記憶體(閃存)產品。
  • 2010年9月2日,爾必達記憶體公司宣布,與美國飛索半導體(Spansion)合作,研發成功全球首款電荷捕獲型4GB SLC NAND快閃記憶體(閃存),讀取速度較傳統浮動柵極型技術快閃記憶體(閃存)快一倍,寫入速度快15%。
  • 2011年2月25日,爾必達在台灣證券交易所掛牌發行台灣存託憑證(代碼為916665.TW),為該交易所第一個日商公司TDR。
  • 2012年2月27日,爾必達向東京地方法院申請破產保護日本共同通訊社報導,爾必達的負債達到4810億日圓[2]
  • 2012年3月28日,爾必達在東京證券交易所摘牌。[3]
  • 2012年3月28日,爾必達在台灣證券交易所掛牌發行的台灣存託憑證下市。
  • 2012年5月8日,爾必達公佈其第二輪競標結果,由美光科技(Micron)收購。
  • 2014年2月28日,爾必達改為美光記憶體日本(Micron Memory Japan)。

參見

參考

  1. ^ 美光20亿美元吞并尔必达移动存储巨头诞生. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06). 
  2. ^ 日本芯片巨头尔必达申请破产保护. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06). 
  3. ^ 日本尔必达破产牵动全球内存版图. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06). 

外部連結