蕭特基能障

蕭特基能障（英語：Schottky barrier），是指具有整流特性的金屬-半導體界面，就如同二極體具有整流特性。蕭特基能障（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)空乏層寬度。

並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定於金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體元件時需要對蕭特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。

蕭特基能障命名自德國物理學家華特·蕭特基（Walter Hermann Schottky）。

優點

順向偏壓：
受熱激發的電子能夠漫延到金屬層。

逆向偏壓：
電子欲從半導體進入受到阻礙。

由於蕭特基能障具有較低的界面電壓，可被應用在某元件需要近似於一個理想二極體的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二極體及電晶體一起使用, 其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它元件。

然而，自始至終蕭特基元件相較於其它半導體元件來說能被應用的領域並不廣。

蕭特基能障自身作為元件即為蕭特基二極體。

蕭特基能障奈米碳管場效應電晶體FET：金屬和碳奈米管之間的接觸並不理想所以層錯導致蕭特基能障，所以我們可以使用這一勢壘來製作蕭特基二極體或者電晶體等等。